聚焦离子束系统FIB-SEM_Scios
检测周期:
未定
检测方式:
其他
报告类型:
电子文档
检测单项:
SEM-FIB加工(机时数<20小时)
SEM-FIB加工(机时数30小时)
SEM-FIB加工(机时数50小时)
TEM制样(样品数<10pcs)
TEM制样(样品数=10pcs)
TEM制样(样品数=20pcs)
技术指标:
1.电子束电流范围:1 pA - 250 nA;
2.电子束电压:200 eV – 30 keV
3.电子束分辨率:1.0 nm (30 keV)、1.6 nm(1 keV)
4.离子束分辨率:3.0 nm
配置情况:
1.金属源:pt,C
2.配备能谱
3.具有C、Pt等气体
4.配置机械手
擅长样品:
半导体、金属、陶瓷材料截面加工及透射样品制备
技术指标:
1.电子束电流范围:1 pA - 250 nA;
2.电子束电压:200 eV – 30 keV
3.电子束分辨率:1.0 nm (30 keV)、1.6 nm(1 keV)
4.离子束分辨率:3.0 nm
配置情况:
1.金属源:pt,C
2.配备能谱
3.具有C、Pt等气体
4.配置机械手
擅长样品:
半导体、金属、陶瓷材料截面加工及透射样品制备